如连续操作3日,推出仍无效果。 款电(iii)沿b轴的电阻率ρb(T)具有更宽的线性温度范围。沿a轴(图4C),应裙情况明显不同。 因此,推出本工作得出了一个重要结论:MgO衬底上欠掺杂10nm厚YBCO薄膜中的一个比应变诱导了一个已经在室温下修饰费米面的向列相态。款电本工作证明了CDW与T线性行为偏离之间的强相关性。事实上,应裙在一个简单的紧束缚描述中,当薄膜厚度从50减小到10nm(图1A)时,b轴晶格参数的增加~0.02Å,只会使b方向相邻位点之间相应的跳跃参数减少~1%。 在铜酸盐中,推出当掺杂量高于或低于最佳掺杂量时,T线性电阻率会降低。事实上,款电一旦考虑到孪生,实际的CDW信号在a轴方向上就可以忽略不计了。 最后,应裙本工作解释了赝隙在欠掺杂铜酸盐中T线性电阻率偏离中的作用。 通过减少薄膜厚度,推出最显著的结构效应是YBCOb轴膨胀,而a轴仅略有改变;同时,由于c轴收缩,细胞的总体积保持不变。在过去五年中,款电段镶锋湖南大学团队在Nature和Science上发表了3篇文章。 过去五年中,应裙卢柯团队在Nature和Science上共发表了三篇文章。推出2015年获中国科学院杰出成就奖。 过去五年中,款电马丁团队在Nature和Science上共发表了两篇文章。应裙2016年入选英国皇家化学会会士。 |
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